三星全球首秀3nm：在近日IEEE ISSCC国际固态电路大会上，三星首次展示了采用3nm工艺制造的SRAM存储芯片。这款芯片容量可以达到256GB，但面积只有56平方毫米。

　　三星3nm预计明年投入量产，但尚未公布任何客户。

　　更值得一提的是，在MBCFET技术的加持下，这款芯片写入电压只要0.23V，这对于芯片来讲，漏电现象将大大的改善，是三星实现新工艺量产的一次重大进步。

　　据悉，三星的3nm工艺采用的是GAAFET（环绕栅极场效应晶体管）技术，与上一代7LPP FinFET工艺相比，晶体管密度可以提高80%，性能最高可提升30%，功耗或降低50%。

　　其实近两年台积电给三星带来了不少压力，三星当年在梁孟松的带领下，用14nm的FinEFT工艺，从台积电手中抢到了苹果的订单，不过在7nm和5nm工艺上却遭台积电占了上风，错失苹果订单。

　　据悉，台积电从14nm到5nm，再到3nm都是很保守地采用FinEFT工艺，预计台积电会在2nm芯片上应用GAAFET技术，不过可能要等上三年左右才能面世。这也是为什么三星要抢在台积电前面，提前在3nm工艺用上更新进的GAA技术，目的是为了争夺更多的台积电订单。

　　从目前来看，在订单方面台积电更胜一筹。据了解，在三星还没有公布3nm工艺制程的时候，融易资讯网报道 融易资讯网消息 ，台积电就基本确认，包括苹果、AMD、NVIDIA、联发科、赛灵思、博通、高通等都在寻求其先进工艺制程。

　　不过现在三星公布了采用GAA技术的3nm工艺制程，如果该工艺芯片后续能保证产能和性能，相信将会为三星带来更多的订单。 　　

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